Đề tài: Nghiên cứu khả năng phá huỷ cách điện bề mặt của Silicon sử dụng trong cách điện cao áp chế tạo bằng vật liệu Compozit phủ Silicon sau khi chịu tác động tác động phá huỷ bề mặt (phóng điện, plazma… ) (18/10/2011)

Đề tài: Nghiên cứu khả năng phá huỷ cách điện bề mặt của Silicon sử dụng trong cách điện cao áp chế tạo bằng vật liệu Compozit phủ Silicon sau khi chịu tác động tác động phá huỷ bề mặt (phóng điện, plazma… ). Mã số: I144. Chủ nhiệm: ThS. Vũ Thanh Hải.

Đề tài: Nghiên cứu khả năng phá huỷ cách điện bề mặt của Silicon sử dụng trong cách điện cao áp chế tạo bằng vật liệu Compozit phủ Silicon sau khi chịu tác động tác động phá huỷ bề mặt (phóng điện, plazma… ). Mã số: I144. Chủ nhiệm: ThS. Vũ Thanh Hải.
Báo cáo đề tài được lưu tại Viện Năng lượng.
Chia sẻ Share Facebook In ấn Gửi Bình luận
Họ tên của bạn
Địa chỉ Email  
Tiêu đề
Nội dung
Mã xác nhận
Gửi Bình luận
Các Tin khác
  • Lễ Khánh Thành Trung Tâm Thí Nghiệm Trọng ĐIểm HVLab

  • Năng lượng xanh

  • Năng lượng tái tạo

  • Trạm và đường dây